自主突圍 中國EUV光刻技術與光刻工廠的未來之路
韓國媒體近來對中國在極紫外（EUV）光刻技術領域的進展持悲觀態度，認為中國的核心技術仍落后于國際先進水平。在全球半導體競爭加劇的背景下，中國不僅投入巨額資源研發EUV光刻技術，還探索“光刻工廠”這一聚合實驗室環境的創新模式，力圖通過技術開發和咨詢突破封鎖。這種自建策略將助力中國防范芯片系統被多個供應商卡脖子的險境，標志著中國半導體生態正更堅定地向源頭自主創新發進新步，而不只是漸進式追趕，從而為更安全的數字基石打下具體根基?
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